磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880093818.9

申请日：

2018-08-07

公开(公告)号：

CN112204175A

公开(公告)日：

2021-01-08

发明(设计)人：

桥尾克司鸿池一晓柳泽拓弥

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;牛嵩林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-08	公开	公开
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20180807

共 50 条

[1]

磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底 [P].

桥尾克司 ;

鸿池一晓 ;

柳泽拓弥 .

日本专利 :CN112204175B ,2024-03-26

[2]

磷化铟单晶衬底以及磷化铟单晶的制造方法 [P].

木户优花 ;

坂本良二 ;

柳泽拓弥 ;

善积祐介 ;

桥尾克司 .

日本专利 :CN119768572A ,2025-04-04

[3]

磷化铟单晶的制备方法以及磷化铟单晶 [P].

摆易寒 ;

沈桂英 ;

赵有文 ;

谢辉 ;

卢伟 ;

李晨慧 ;

杨文文 ;

吕鑫雨 ;

范江涛 .

中国专利 :CN119776991A ,2025-04-08

[4]

磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法 [P].

川瀬智博 .

中国专利 :CN1784514A ,2006-06-07

[5]

磷化铟衬底和制造磷化铟衬底的方法 [P].

藤原新也 ;

樋口恭明 .

中国专利 :CN111952150A ,2020-11-17

[6]

磷化铟单晶的制造方法 [P].

川瀬智博 .

中国专利 :CN101230488B ,2008-07-30

[7]

可控磷化铟单晶生长装置 [P].

朱建华 ;

曾平生 ;

王坚 ;

刘芳芳 ;

刘重伟 ;

吴选高 ;

彭彦 ;

黄大霜 .

中国专利 :CN221956232U ,2024-11-05

[8]

磷化铟衬底、检查磷化铟衬底的方法和制造磷化铟衬底的方法 [P].

藤原新也 ;

樋口恭明 .

中国专利 :CN107112201B ,2017-08-29

[9]

磷化铟单晶片的抛光工艺 [P].

董宏伟 ;

赵有文 ;

杨子祥 ;

焦景华 .

中国专利 :CN1402309A ,2003-03-12

[10]

一种磷化铟单晶的制备方法和磷化铟单晶生长用阶梯式坩埚 [P].

王金灵 ;

齐正阳 ;

陈伟杰 .

中国专利 :CN118773718A ,2024-10-15

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