酸化物半導体層の作製方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20140011614

申请日：

2014-01-24

公开(公告)号：

JP5685328B2

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/363 H01L29/786

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共 50 条

[1]

酸化物半導体層の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6031133B2 ,2016-11-24

[2]

酸化物半導体層、酸化物半導体層の作製方法、半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025010084A ,2025-01-20

[3]

金属酸化物層の作製方法、半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025168338A ,2025-11-07

[4]

酸化物半導体膜の作製方法、半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6223526B2 ,2017-11-01

[5]

酸化物半導体層、半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

ISAKA FUMITO ;

SATO YUICHI ;

ONO TOSHIKAZU ;

KUNITAKE HITOSHI ;

MURAKAWA TSUTOMU .

日本专利 :JP2025010009A ,2025-01-20

[6]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6126156B2 ,2017-05-10

[7]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6668455B2 ,2020-03-18

[8]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6158980B2 ,2017-07-05

[9]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP5916817B2 ,2016-05-11

[10]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022137143A ,2022-09-21

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