酸化物半導体層の作製方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20150015263

申请日：

2015-01-29

公开(公告)号：

JP6031133B2

公开(公告)日：

2016-11-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

C23C14/08 C23C14/34 G02F1/1368 H01L21/336 H01L51/50 H05B44/00

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共 50 条

[1]

酸化物半導体層の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP5685328B2 ,2015-03-18

[2]

酸化物半導体層、酸化物半導体層の作製方法、半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025010084A ,2025-01-20

[3]

金属酸化物層の作製方法、半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025168338A ,2025-11-07

[4]

酸化物半導体膜の作製方法、半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6223526B2 ,2017-11-01

[5]

酸化物半導体層、半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

ISAKA FUMITO ;

SATO YUICHI ;

ONO TOSHIKAZU ;

KUNITAKE HITOSHI ;

MURAKAWA TSUTOMU .

日本专利 :JP2025010009A ,2025-01-20

[6]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6126156B2 ,2017-05-10

[7]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6668455B2 ,2020-03-18

[8]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6158980B2 ,2017-07-05

[9]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP5916817B2 ,2016-05-11

[10]

酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022137143A ,2022-09-21

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