半導体基板の製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20090524497
申请日
2008-07-23
公开(公告)号
JPWO2009014144A1
公开(公告)日
2010-10-07
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
[2]
半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2003028097A1 ,2005-01-13
[3]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
KIMURA HIROSHI ;
MATSUZAKI KINSHI .
日本专利 :JP2023170145A ,2023-12-01
[4]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012169053A1 ,2015-02-23
[8]
単電子半導体素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007091364A1 ,2009-07-02
[9]
半導体酸化チタンの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6963853B1 ,2021-11-10