リソグラフィー用下層膜形成用材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20170503418

申请日：

2016-02-19

公开(公告)号：

JPWO2016140081A1

公开(公告)日：

2017-12-14

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

G03F7/11

IPC分类号：

C08G14/12 G03F7/20 G03F7/26

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共 50 条

[1]

リソグラフィー用下層膜形成用材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016163456A1 ,2018-02-08

[2]

リソグラフィー用下層膜形成用材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP6052652B1 ,2016-12-27

[3]

リソグラフィー用下層膜形成用材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016163457A1 ,2017-04-27

[4]

リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016021511A1 ,2017-05-25

[5]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020105694A1 ,2021-02-15

[6]

リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013024779A1 ,2015-03-05

[7]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020039966A1 ,2021-08-26

[8]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020004316A1 ,2021-08-02

[9]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020105692A1 ,2021-10-14

[10]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018212116A1 ,2020-03-12

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