低欠陥化グラフェン系炭素材料及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20180554994
申请日
2017-12-04
公开(公告)号
JPWO2018105570A1
公开(公告)日
2019-10-24
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C01B32/192
IPC分类号
C01B32/198
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
[2]
低欠陥化炭素材料の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7403250B2 ,2023-12-22
[3]
低欠陥化炭素材料の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7312625B2 ,2023-07-21
[4]
低欠陥化含窒素炭素材料の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7178045B2 ,2022-11-25
[5]
炭素材料及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009038193A1 ,2011-01-13
[6]
炭素材料及びその製造方法[ja] [P]. 
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[7]
炭素材料及びその製造方法[ja] [P]. 
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[8]
炭素材料及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7092296B2 ,2022-06-28
[9]
炭素材料及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5629681B2 ,2014-11-26
[10]
炭素材料及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5613662B2 ,2014-10-29