低欠陥化含窒素炭素材料の製造方法[ja]

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申请号
JP20180227592
申请日
2018-12-04
公开(公告)号
JP7178045B2
公开(公告)日
2022-11-25
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C01B32/05
IPC分类号
C01B32/192 C01B32/194 H01M4/88 H01M4/90
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
低欠陥化炭素材料の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7403250B2 ,2023-12-22
[2]
低欠陥化炭素材料の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7312625B2 ,2023-07-21
[3]
含窒素炭素材料の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7712628B2 ,2025-07-24
[5]
遷移金属担持含窒素炭素材料の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7723385B2 ,2025-08-14
[6]
窒素含有炭素材料及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6805402B2 ,2020-12-23
[8]
低欠陥化グラフェン系炭素材料及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018105570A1 ,2019-10-24
[9]
[10]
窒素含有炭素材料[ja] [P]. 
日本专利 :JP5779267B2 ,2015-09-16