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電界効果トランジスタおよびその製造方法、ならびにそれを用いた電子機器[ja]
被引:0
申请号
:
JP20060545173
申请日
:
2005-11-18
公开(公告)号
:
JPWO2006054709A1
公开(公告)日
:
2008-06-05
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10K99/00
IPC分类号
:
H01L21/336
H01L29/12
H01L29/78
H01L29/786
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにそれを用いた電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007148601A1
,2009-11-19
[2]
導電膜、およびその製造方法、ならびにそれを備えた基材[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003049123A1
,2005-04-21
[3]
光学素子、及びそれを用いた電子機器の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009142124A1
,2011-09-29
[4]
触媒およびその製造方法ならびにその用途[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010041655A1
,2012-03-08
[5]
衣服型電子機器およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020013323A1
,2021-07-15
[6]
光学パネルおよびその製造方法ならびに機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018084052A1
,2019-06-27
[7]
酸化物含有銅微粒子およびその製造方法、ならびにそれを用いた焼結体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7507511B2
,2024-06-28
[8]
低誘電率膜、及びその製造方法、並びそれを用いた電子部品[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005008762A1
,2006-11-02
[9]
固体電解質材料、およびそれを用いた電池[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020137026A1
,2021-11-04
[10]
透明導電膜の製造方法及び透明導電膜、それを用いた素子、透明導電基板並びにそれを用いたデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011055856A1
,2013-03-28
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