薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにそれを用いた電子機器[ja]

被引：0

申请号：

JP20080522419

申请日：

2007-06-14

公开(公告)号：

JPWO2007148601A1

公开(公告)日：

2009-11-19

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

G02F1/1368 H01L21/336 H01L21/368

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共 50 条

[1]

電界効果トランジスタおよびその製造方法、ならびにそれを用いた電子機器[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006054709A1 ,2008-06-05

[2]

薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010038566A1 ,2012-03-01

[3]

薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja] [P].

PARK SUNG KYU ;

JEON SEONG PIL ;

KIM YONG-HOON ;

PARK BO YEON .

日本专利 :JP2024022494A ,2024-02-16

[4]

薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014181777A1 ,2017-02-23

[5]

薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018074608A1 ,2019-08-08

[6]

薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011125940A1 ,2013-07-11

[7]

薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012053161A1 ,2014-02-24

[8]

薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成溶液[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018074607A1 ,2019-09-05

[9]

触媒およびその製造方法ならびにその用途[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010041655A1 ,2012-03-08

[10]

多層構造体およびそれを用いたデバイス、ならびにそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013187064A1 ,2016-02-04

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