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抵抗調整低導電性アルミナジルコニア複合セラミックスおよびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200013985
申请日
:
2020-01-30
公开(公告)号
:
JP6911953B1
公开(公告)日
:
2021-07-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C04B35/119
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 34 条
[1]
ジルコニア原料粉末およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6231470B2
,2017-11-15
[2]
強誘電性ガラスセラミックスおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005061403A1
,2007-07-12
[3]
セラミック基板およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016114119A1
,2017-04-27
[4]
ジルコニア系複合酸化物粉末、及び、ジルコニア系複合酸化物粉末の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7649417B1
,2025-03-19
[5]
セラミックハニカム構造体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006082938A1
,2008-06-26
[6]
セラミック成形体および積層型セラミック電子部品の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015040924A1
,2017-03-02
[7]
窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008093871A1
,2010-05-20
[8]
紫色ジルコニア焼結体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023016927A
,2023-02-02
[9]
セラミック原料粉末、積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7476477B2
,2024-05-01
[10]
低融点多孔質セラミックス材料及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023553118A
,2023-12-20
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