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電子半導体デバイスおよびその電子半導体デバイスの製造方法および化合物[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190545368
申请日
:
2018-02-16
公开(公告)号
:
JP7082984B2
公开(公告)日
:
2022-06-09
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07F5/02
IPC分类号
:
C07F19/00
H05B33/10
H10K99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
電子半導体デバイスおよびその電子半導体デバイスの製造方法および化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2020510306A
,2020-04-02
[2]
電子半導体デバイスおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023033255A
,2023-03-09
[3]
電子半導体デバイスおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020509586A
,2020-03-26
[4]
電子半導体デバイスおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020510305A
,2020-04-02
[5]
半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014192311A1
,2017-02-23
[6]
化合物半導体基板および化合物半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7654367B2
,2025-04-01
[7]
光電子デバイスおよび光電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018510506A
,2018-04-12
[8]
電子デバイスおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6014791B1
,2016-10-25
[9]
電子デバイスおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016103720A1
,2017-04-27
[10]
積層体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010067857A1
,2012-05-24
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