薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイ多面付け基板、およびそれらの製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20200514379
申请日
2019-04-15
公开(公告)号
JPWO2019203200A1
公开(公告)日
2021-05-13
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
G09F9/30 H01L21/336
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018150916A1 ,2019-12-12
[2]
[3]
薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2005008785A1 ,2006-09-07
[6]
薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017110495A1 ,2017-12-28
[7]
薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6233548B1 ,2017-11-22
[10]
トランジスタ、及び、トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016524819A ,2016-08-18