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SnTiO3材料、その調製方法、強誘電体材料としてのその使用及び強誘電体材料を含むデバイス[ja]
被引:0
申请号
:
JP20210510538
申请日
:
2019-05-02
公开(公告)号
:
JP2021522158A
公开(公告)日
:
2021-08-30
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C01G19/00
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
SnTiO3材料、その調製方法、強誘電体材料としてのその使用及び強誘電体材料を含むデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7408636B2
,2024-01-05
[2]
強誘電体デバイス及びその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019517153A
,2019-06-20
[3]
強誘電体膜の製造装置及び強誘電体膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013150812A1
,2015-12-17
[4]
強磁性誘電体材料、強磁性誘電体材料の製造方法、及びセラミック電子部品[ja]
[P].
日本专利
:JP6094951B2
,2017-03-15
[5]
強誘電体薄膜、強誘電体薄膜の製造方法、圧電体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012063642A1
,2014-05-12
[6]
誘電体材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016157954A1
,2018-02-01
[7]
誘電体材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7191429B1
,2022-12-19
[8]
誘電体材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6481755B2
,2019-03-13
[9]
強誘電体メモリデバイス及びその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022536770A
,2022-08-18
[10]
誘電体材料の製造方法[ja]
[P].
TACHIKAWA TAKASHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV KOBE
UNIV KOBE
TACHIKAWA TAKASHI
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
KUMABE YOSHITAKA
.
日本专利
:JP2024062834A
,2024-05-10
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