強誘電体デバイス及びその形成方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20180561674

申请日：

2017-01-10

公开(公告)号：

JP2019517153A

公开(公告)日：

2019-06-20

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10B51/30

IPC分类号：

H10B53/30

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法律状态信息

共 50 条

[1]

強誘電体デバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015012359A1 ,2017-03-02

[2]

誘電体基板及びその形成方法[ja] [P].

JENNIFER ADAMCHUK ;

GERARD T BUSS ;

THERESA M BESOZZI .

日本专利 :JP2025090579A ,2025-06-17

[3]

強誘電体酸化物メモリデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2020505790A ,2020-02-20

[4]

誘電体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012057127A1 ,2014-05-12

[5]

強誘電体薄膜の形成方法および強誘電体メモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008004571A1 ,2009-12-03

[6]

強誘電体メモリデバイス消去[ja] [P].

日本专利 :JP2025530168A ,2025-09-11

[7]

ＳｎＴｉＯ３材料、その調製方法、強誘電体材料としてのその使用及び強誘電体材料を含むデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7408636B2 ,2024-01-05

[8]

ＳｎＴｉＯ３材料、その調製方法、強誘電体材料としてのその使用及び強誘電体材料を含むデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2021522158A ,2021-08-30

[9]

電子デバイス及びその製造方法[ja] [P].

WATAKABE SO ;

TSUBUKI MASASHI ;

SASAKI TOSHINARI ;

TAMARU TAKAYA ;

MOCHIZUKI MARINA ;

ONODERA RYO .

日本专利 :JP2024121234A ,2024-09-06

[10]

電子デバイス及び電子デバイスの封止方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017047346A1 ,2018-06-28

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