強誘電体デバイス及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20150528337

申请日：

2014-07-24

公开(公告)号：

JPWO2015012359A1

公开(公告)日：

2017-03-02

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10B20/00

IPC分类号：

H01L21/31 H01L21/316 H10B51/30 H10B69/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

誘電体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012057127A1 ,2014-05-12

[2]

強誘電体デバイス及びその形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019517153A ,2019-06-20

[3]

電子デバイス及びその製造方法[ja] [P].

WATAKABE SO ;

TSUBUKI MASASHI ;

SASAKI TOSHINARI ;

TAMARU TAKAYA ;

MOCHIZUKI MARINA ;

ONODERA RYO .

日本专利 :JP2024121234A ,2024-09-06

[4]

ＬＤＭＯＳデバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022551159A ,2022-12-07

[5]

分子デバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006025391A1 ,2008-05-08

[6]

有機電子デバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012160714A1 ,2014-07-31

[7]

強誘電体膜およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013018155A1 ,2015-02-23

[8]

デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19

[9]

圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020044919A1 ,2021-05-20

[10]

圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013018604A1 ,2015-03-05

← 1 2 3 4 5 →