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強誘電体膜およびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130526623
申请日
:
2011-07-29
公开(公告)号
:
JPWO2013018155A1
公开(公告)日
:
2015-02-23
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10N30/853
IPC分类号
:
H01L21/316
H10N30/00
H10N30/01
H10N30/06
H10N30/078
H10N30/079
H10N30/097
H10N30/50
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物強誘電体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6086419B2
,2017-03-01
[2]
強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004097854A1
,2006-07-13
[3]
強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005010895A1
,2006-09-14
[4]
透明導電膜およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008099932A1
,2010-05-27
[5]
強誘電体デバイス及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015012359A1
,2017-03-02
[6]
酸化物誘電体シートおよびその製造方法[ja]
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
KATAYAMA TSUKASA
;
YU RUI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV HOKKAIDO
UNIV HOKKAIDO
YU RUI
;
GONG LIZHIKUN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV HOKKAIDO
UNIV HOKKAIDO
GONG LIZHIKUN
;
OTA HIROMICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV HOKKAIDO
UNIV HOKKAIDO
OTA HIROMICHI
.
日本专利
:JP2024009790A
,2024-01-23
[7]
強誘電体薄膜の形成方法および強誘電体メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008004571A1
,2009-12-03
[8]
超格子構造を有する強誘電体薄膜とその製造方法、並びに強誘電体素子とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012050007A1
,2014-02-24
[9]
導電膜の製造方法および導電膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019138706A1
,2021-01-14
[10]
導電膜および導電膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008105198A1
,2010-06-03
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