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超格子構造を有する強誘電体薄膜とその製造方法、並びに強誘電体素子とその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120538643
申请日
:
2011-10-04
公开(公告)号
:
JPWO2012050007A1
公开(公告)日
:
2014-02-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/316
IPC分类号
:
H10N30/85
C01G33/00
H01B3/00
H01L21/8246
H01L27/105
H10N30/077
H10N30/093
H10N30/853
H10N97/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
強誘電体膜およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013018155A1
,2015-02-23
[2]
酸化物強誘電体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6086419B2
,2017-03-01
[3]
ナノ超薄膜誘電体とその製造方法及びナノ超薄膜誘電体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007094244A1
,2009-07-02
[4]
接合構造体とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014073086A1
,2016-09-08
[5]
強誘電体デバイス及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015012359A1
,2017-03-02
[6]
強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004097854A1
,2006-07-13
[7]
強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005010895A1
,2006-09-14
[8]
酸化物誘電体及びその製造方法、酸化物誘電体の前駆体、並びに固体電子装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6353644B2
,2018-07-04
[9]
酸化物誘電体及びその製造方法、並びに固体電子装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6716602B2
,2020-07-01
[10]
酸化物誘電体及びその製造方法、並びに固体電子装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017098852A1
,2018-10-18
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