強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20050505886

申请日：

2004-04-23

公开(公告)号：

JPWO2004097854A1

公开(公告)日：

2006-07-13

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C04B35/00

IPC分类号：

C01G23/00 C01G25/00 C01G33/00 C01G35/00 C01G49/00 C04B35/46 C04B35/49 C23C18/12 H01L21/316

代理机构：

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法律状态：

国省代码：

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共 50 条

[1]

強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005010895A1 ,2006-09-14

[2]

強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜の製造方法並びに液体噴射ヘッド[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006006406A1 ,2008-07-31

[3]

強誘電体薄膜の形成方法および強誘電体メモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008004571A1 ,2009-12-03

[4]

酸化物強誘電体およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6086419B2 ,2017-03-01

[5]

強誘電体膜およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013018155A1 ,2015-02-23

[6]

誘電体絶縁薄膜の製造方法及び誘電体絶縁材料[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004086486A1 ,2006-06-29

[7]

誘電体磁器組成物および誘電体磁器[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006013981A1 ,2008-05-01

[8]

強誘電性薄膜、電子素子及び製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016031986A1 ,2017-06-15

[9]

強誘電体層付き基体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007020971A1 ,2009-02-26

[10]

誘電体組成物および電子部品[ja] [P].

日本专利 :JP2025147993A ,2025-10-07

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