強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜の製造方法並びに液体噴射ヘッド[ja]

被引：0

申请号：

JP20060524543

申请日：

2005-06-29

公开(公告)号：

JPWO2006006406A1

公开(公告)日：

2008-07-31

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L41/24

IPC分类号：

H10N30/20 B41J2/045 B41J2/055 B41J2/135 B41J2/14 B41J2/16 H10N30/077 H10N30/093 H10N30/85 H10N30/853

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

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共 50 条

[1]

強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004097854A1 ,2006-07-13

[2]

強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005010895A1 ,2006-09-14

[3]

誘電体絶縁薄膜の製造方法及び誘電体絶縁材料[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004086486A1 ,2006-06-29

[4]

強誘電性液晶組成物及び強誘電性液晶表示素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013073572A1 ,2015-04-02

[5]

強誘電体メモリ構造体[ja] [P].

日本专利 :JP2025155926A ,2025-10-14

[6]

強誘電体層付き基体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007020971A1 ,2009-02-26

[7]

誘電体膜形成組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2023534634A ,2023-08-10

[8]

誘電体膜形成組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2023546954A ,2023-11-08

[9]

誘電体膜形成組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2023534494A ,2023-08-09

[10]

強誘電体キャパシタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004075296A1 ,2006-06-01

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