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強誘電体薄膜の形成方法および強誘電体メモリ[ja]
被引：0
申请号：
JP20080523704
申请日：
2007-07-04
公开(公告)号：
JPWO2008004571A1
公开(公告)日：
2009-12-03
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H10B20/00
IPC分类号：
C23C16/40
C23C16/56
H01L21/316
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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