強誘電体キャパシタを含む半導体メモリ素子およびその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20250036037

申请日：

2025-03-07

公开(公告)号：

JP2025141858A

公开(公告)日：

2025-09-29

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10B43/27

IPC分类号：

H10B53/20 H10D30/69

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

強誘電性キャパシタおよび強誘電性キャパシタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025532559A ,2025-10-01

[2]

酸化物半導体メモリ素子およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025141950A ,2025-09-29

[3]

誘電体、誘電体を用いたキャパシタ、誘電体を用いた半導体装置、及び誘電体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008108128A1 ,2010-06-10

[4]

強誘電体薄膜の形成方法および強誘電体メモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008004571A1 ,2009-12-03

[5]

セラミックス膜およびその製造方法、ならびに強誘電体キャパシタ、半導体装置、その他の素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2002102709A1 ,2004-09-30

[6]

強誘電体膜およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013018155A1 ,2015-02-23

[7]

基板、基板の製造方法、半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011021715A1 ,2013-01-24

[8]

半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008139860A1 ,2010-07-29

[9]

メモリスタ素子およびその製造の方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018538701A ,2018-12-27

[10]

酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、酸化物半導体素子を含む表示装置、及び酸化物半導体素子を含む表示装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5905692B2 ,2016-04-20

← 1 2 3 4 5 →