誘電体、誘電体を用いたキャパシタ、誘電体を用いた半導体装置、及び誘電体の製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20090502482
申请日
2008-02-04
公开(公告)号
JPWO2008108128A1
公开(公告)日
2010-06-10
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C01G25/00
IPC分类号
C23C16/40 H01L21/316 H10B12/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
誘電体[ja] [P]. 
FU JIE .
日本专利 :JP2022008415A ,2022-01-13
[2]
[4]
[5]
誘電体絶縁薄膜の製造方法及び誘電体絶縁材料[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004086486A1 ,2006-06-29
[7]
誘電体材料の製造方法[ja] [P]. 
TACHIKAWA TAKASHI ;
KUMABE YOSHITAKA .
日本专利 :JP2024062834A ,2024-05-10
[9]
誘電体磁器組成物および誘電体磁器[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006013981A1 ,2008-05-01
[10]
誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2005075377A1 ,2008-01-10