酸化物誘電体素子及び酸化物誘電体素子の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20170505659

申请日：

2016-08-30

公开(公告)号：

JPWO2017038806A1

公开(公告)日：

2017-08-31

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10N30/88

IPC分类号：

H10N30/02 H10N30/20 H10N30/853

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共 50 条

[1]

酸化物誘電体及びその製造方法、酸化物誘電体の前駆体、並びに固体電子装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6353644B2 ,2018-07-04

[2]

酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7173070B2 ,2022-11-16

[3]

酸化物超電導体通電素子及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6347111B2 ,2018-06-27

[4]

酸化物強誘電体およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6086419B2 ,2017-03-01

[5]

酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、酸化物半導体素子を含む表示装置、及び酸化物半導体素子を含む表示装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5905692B2 ,2016-04-20

[6]

酸化物誘電体及びその製造方法、並びに固体電子装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018116608A1 ,2019-10-24

[7]

酸化物の前駆体、酸化物層、半導体素子、及び電子デバイス、並びに酸化物層の製造方法及び半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6481865B2 ,2019-03-13

[8]

酸化物の前駆体、酸化物層、半導体素子、及び電子デバイス、並びに酸化物層の製造方法及び半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016098423A1 ,2017-09-21

[9]

酸化物超電導導体及び酸化物超電導導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6276523B2 ,2018-02-07

[10]

酸化物半導体薄膜、半導体素子、光電変換素子、太陽電池、及び酸化物半導体薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6587125B2 ,2019-10-09

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