酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、酸化物半導体素子を含む表示装置、及び酸化物半導体素子を含む表示装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20110211441

申请日：

2011-09-27

公开(公告)号：

JP5905692B2

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/786 H01L51/50 H05B33/10

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共 50 条

[1]

酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7173070B2 ,2022-11-16

[2]

ｐ型酸化物半導体、ｐ型酸化物半導体製造用組成物、ｐ型酸化物半導体の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム[ja] [P].

日本专利 :JP6547273B2 ,2019-07-24

[3]

酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、表示装置及びイメージセンサ[ja] [P].

日本专利 :JP6121149B2 ,2017-04-26

[4]

ｐ型酸化物半導体及びｐ型酸化物半導体を含む半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP7678955B2 ,2025-05-19

[5]

酸化物半導体薄膜、半導体素子、光電変換素子、太陽電池、及び酸化物半導体薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6587125B2 ,2019-10-09

[6]

酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6685476B2 ,2020-04-22

[7]

酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019003861A1 ,2019-11-07

[8]

酸化物半導体層、酸化物半導体層の作製方法、半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025010084A ,2025-01-20

[9]

酸化物系半導体材料および半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP6150752B2 ,2017-06-21

[10]

酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

TSUBUKI MASASHI ;

AKIMOTO KENGO ;

OHARA HIROKI ;

HONDA TATSUYA ;

KOMATA TAKASHI ;

NONAKA YUSUKE ;

TAKAHASHI MASAHIRO ;

MIYANAGA SHOJI .

日本专利 :JP2025072563A ,2025-05-09

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