酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜の作製方法[ja]

被引:0
申请号
JP20250018945
申请日
2025-02-07
公开(公告)号
JP2025072563A
公开(公告)日
2025-05-09
发明(设计)人
YAMAZAKI SHUNPEI TSUBUKI MASASHI AKIMOTO KENGO OHARA HIROKI HONDA TATSUYA KOMATA TAKASHI NONAKA YUSUKE TAKAHASHI MASAHIRO MIYANAGA SHOJI
申请人
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
申请人地址
IPC主分类号
H10D30/67
IPC分类号
H01L21/203 H10D30/01
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6126156B2 ,2017-05-10
[2]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6668455B2 ,2020-03-18
[3]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6158980B2 ,2017-07-05
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酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5916817B2 ,2016-05-11
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酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022137143A ,2022-09-21
[6]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6681151B2 ,2020-04-15
[7]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6599111B2 ,2019-10-30
[8]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6262038B2 ,2018-01-17
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酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6310038B2 ,2018-04-11
[10]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5897485B2 ,2016-03-30