学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190526762
申请日
:
2018-06-08
公开(公告)号
:
JP6685476B2
公开(公告)日
:
2020-04-22
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/872
IPC分类号
:
H01L21/329
H01L29/06
H01L29/12
H01L29/24
H01L29/47
H01L29/78
H01L29/861
H01L29/868
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019003861A1
,2019-11-07
[2]
酸化物半導体膜および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6460591B2
,2019-01-30
[3]
酸化物半導体膜および、半導体装置[ja]
[P].
SAKAZUME TAKAHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
SAKAZUME TAKAHIRO
.
日本专利
:JP2025116201A
,2025-08-07
[4]
酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7173070B2
,2022-11-16
[5]
酸化物半導体層、酸化物半導体層の作製方法、半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025010084A
,2025-01-20
[6]
酸化物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5666616B2
,2015-02-12
[7]
酸化物半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012056933A1
,2014-03-20
[8]
酸化物半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011065329A1
,2013-04-11
[9]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155033A1
,2019-12-19
[10]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6495808B2
,2019-04-03
←
1
2
3
4
5
→