酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20190526762
申请日
2018-06-08
公开(公告)号
JP6685476B2
公开(公告)日
2020-04-22
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/872
IPC分类号
H01L21/329 H01L29/06 H01L29/12 H01L29/24 H01L29/47 H01L29/78 H01L29/861 H01L29/868
代理机构
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法律状态
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共 50 条
[2]
酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6460591B2 ,2019-01-30
[3]
酸化物半導体膜および、半導体装置[ja] [P]. 
SAKAZUME TAKAHIRO .
日本专利 :JP2025116201A ,2025-08-07
[6]
酸化物半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5666616B2 ,2015-02-12
[7]
酸化物半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012056933A1 ,2014-03-20
[8]
酸化物半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011065329A1 ,2013-04-11
[9]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018155033A1 ,2019-12-19
[10]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6495808B2 ,2019-04-03