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酸化物半導体及び半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150225191
申请日
:
2015-11-17
公开(公告)号
:
JP6495808B2
公开(公告)日
:
2019-04-03
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
H01L21/336
H01L27/146
H01L29/788
H01L29/792
H10B41/27
H10B41/50
H10B43/27
H10B43/50
H10B69/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155033A1
,2019-12-19
[2]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6933400B2
,2021-09-08
[3]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7037197B2
,2022-03-16
[4]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155034A1
,2019-12-19
[5]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5946624B2
,2016-07-06
[6]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6110917B2
,2017-04-05
[7]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6050020B2
,2016-12-21
[8]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6207018B2
,2017-10-04
[9]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6043387B2
,2016-12-14
[10]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5716070B2
,2015-05-13
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