酸化物半導体及び半導体装置[ja]

被引:0
申请号
JP20150225191
申请日
2015-11-17
公开(公告)号
JP6495808B2
公开(公告)日
2019-04-03
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
H01L21/336 H01L27/146 H01L29/788 H01L29/792 H10B41/27 H10B41/50 H10B43/27 H10B43/50 H10B69/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018155033A1 ,2019-12-19
[2]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6933400B2 ,2021-09-08
[3]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7037197B2 ,2022-03-16
[4]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018155034A1 ,2019-12-19
[5]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5946624B2 ,2016-07-06
[6]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6110917B2 ,2017-04-05
[7]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6050020B2 ,2016-12-21
[8]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6207018B2 ,2017-10-04
[9]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6043387B2 ,2016-12-14
[10]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5716070B2 ,2015-05-13