酸化物系半導体材料および半導体素子[ja]

被引:0
申请号
JP20140051383
申请日
2014-03-14
公开(公告)号
JP6150752B2
公开(公告)日
2017-06-21
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
H01L21/20 H01L21/36 H01L21/363 H01L21/368 H01L29/26
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
半導体材料、および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019145827A1 ,2021-01-28
[2]
半導体材料、および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019102314A1 ,2020-11-26
[3]
酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6460591B2 ,2019-01-30
[4]
酸化物半導体膜および、半導体装置[ja] [P]. 
SAKAZUME TAKAHIRO .
日本专利 :JP2025116201A ,2025-08-07
[5]
半導体材料、および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7202319B2 ,2023-01-11
[7]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018155033A1 ,2019-12-19
[8]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6495808B2 ,2019-04-03
[9]
電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP6329951B2 ,2018-05-23
[10]
酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6933400B2 ,2021-09-08