学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
酸化物系半導体材料および半導体素子[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140051383
申请日
:
2014-03-14
公开(公告)号
:
JP6150752B2
公开(公告)日
:
2017-06-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
H01L21/20
H01L21/36
H01L21/363
H01L21/368
H01L29/26
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体材料、および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019145827A1
,2021-01-28
[2]
半導体材料、および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019102314A1
,2020-11-26
[3]
酸化物半導体膜および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6460591B2
,2019-01-30
[4]
酸化物半導体膜および、半導体装置[ja]
[P].
SAKAZUME TAKAHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
SAKAZUME TAKAHIRO
.
日本专利
:JP2025116201A
,2025-08-07
[5]
半導体材料、および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7202319B2
,2023-01-11
[6]
酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7173070B2
,2022-11-16
[7]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155033A1
,2019-12-19
[8]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6495808B2
,2019-04-03
[9]
電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP6329951B2
,2018-05-23
[10]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6933400B2
,2021-09-08
←
1
2
3
4
5
→