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酸化物半導体メモリ素子およびその製造方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20250041203
申请日：
2025-03-14
公开(公告)号：
JP2025141950A
公开(公告)日：
2025-09-29
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H10B43/27
IPC分类号：
H10D30/69
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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