貯蔵チャンバおよびエピタキシャル反応器を有する処理装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20220520808

申请日：

2020-10-02

公开(公告)号：

JP2022550902A

公开(公告)日：

2022-12-05

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/677

IPC分类号：

B25J9/06

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法律状态信息

共 50 条

[1]

搬送チャンバおよびエピタキシャル反応器を有する処理装置[ja] [P].

日本专利 :JP2022550898A ,2022-12-05

[2]

ローディング又はアンローディング群およびエピタキシャル反応器を有する処理装置[ja] [P].

日本专利 :JP2022550900A ,2022-12-05

[3]

キャパシタ材料を有する溝部を備えるエネルギ貯蔵装置[ja] [P].

日本专利 :JP2022502854A ,2022-01-11

[4]

ガス流回転を用いたエピタキシャル反応炉の反応室用基板支持装置、反応室及びエピタキシャル反応炉[ja] [P].

日本专利 :JP2023504020A ,2023-02-01

[5]

ガス流回転を用いたエピタキシャル反応炉の反応室用基板支持装置、反応室及びエピタキシャル反応炉[ja] [P].

日本专利 :JP7684297B2 ,2025-05-27

[6]

反応チャンバ用の摺動スレッジを有する基材上の半導体材料のエピタキシャル堆積のための反応器[ja] [P].

MAURILIO GIUSEPPE MESCHIA ;

DANILO CRIPPA ;

SILVIO ROBERTO MARIO PRETI ;

FRANCESCO COREA ;

STEFANO POLLI .

日本专利 :JP2025041560A ,2025-03-26

[7]

空隙および下部閉鎖要素を有する堆積反応器のための反応チャンバならびに反応器[ja] [P].

日本专利 :JP2022516778A ,2022-03-02

[8]

ウエハ支持装置およびＳｉＣエピタキシャル成長装置[ja] [P].

KIYOSAWA TSUTOMU .

日本专利 :JP2025014433A ,2025-01-30

[9]

反応室外部のリフレクタを有するエピタキシャル堆積リアクタと、サセプタ及び基板を冷却する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019533310A ,2019-11-14

[10]

非一様な長さ方向断面を伴う半導体材料用のエピタキシャル・リアクタのための反応チャンバおよびリアクタ[ja] [P].

日本专利 :JP7073586B2 ,2022-05-23

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