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反応チャンバ用の摺動スレッジを有する基材上の半導体材料のエピタキシャル堆積のための反応器[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240156585
申请日
:
2024-09-10
公开(公告)号
:
JP2025041560A
公开(公告)日
:
2025-03-26
发明(设计)人
:
MAURILIO GIUSEPPE MESCHIA
DANILO CRIPPA
SILVIO ROBERTO MARIO PRETI
FRANCESCO COREA
STEFANO POLLI
申请人
:
LPE SPA
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C16/44
IPC分类号
:
H01L21/31
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体材料の堆積のための回転要素および反応器を備えた反応チャンバ[ja]
[P].
日本专利
:JP7536770B2
,2024-08-20
[2]
半導体材料の堆積のための回転要素および反応器を備えた反応チャンバ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022516780A
,2022-03-02
[3]
空隙および下部閉鎖要素を有する堆積反応器のための反応チャンバならびに反応器[ja]
[P].
日本专利
:JP2022516778A
,2022-03-02
[4]
堆積装置内の半導体材料の基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7639184B2
,2025-03-04
[5]
堆積装置内の半導体材料の基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024522528A
,2024-06-21
[6]
非一様な長さ方向断面を伴う半導体材料用のエピタキシャル・リアクタのための反応チャンバおよびリアクタ[ja]
[P].
日本专利
:JP7073586B2
,2022-05-23
[7]
非一様な長さ方向断面を伴う半導体材料用のエピタキシャル・リアクタのための反応チャンバおよびリアクタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022508364A
,2022-01-19
[8]
貯蔵チャンバおよびエピタキシャル反応器を有する処理装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2022550902A
,2022-12-05
[9]
反応室外部のリフレクタを有するエピタキシャル堆積リアクタと、サセプタ及び基板を冷却する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019533310A
,2019-11-14
[10]
化合物半導体デバイスのためのエピタキシャル金属の遷移金属窒化物層[ja]
[P].
日本专利
:JP2017532755A
,2017-11-02
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