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半導体発光素子の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200522394
申请日
:
2018-11-26
公开(公告)号
:
JP2021504933A
公开(公告)日
:
2021-02-15
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L33/02
IPC分类号
:
B23K26/00
B23K26/53
H01L21/301
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
発光素子用材料の製造方法、発光素子用材料前駆体および発光素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011074428A1
,2013-04-25
[2]
半導体素子及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006019157A1
,2008-05-08
[3]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011132744A1
,2013-07-18
[4]
半導体製造方法及び半導体製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020049835A1
,2021-08-12
[5]
半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008117355A1
,2010-07-08
[6]
光発電素子及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017017771A1
,2017-07-27
[7]
光発電素子及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6053082B1
,2016-12-27
[8]
集光照射基板を用いた半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、半導体薄膜の選択成長方法、および半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010100950A1
,2012-09-06
[9]
炭化珪素半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017026068A1
,2017-08-10
[10]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004114413A1
,2006-07-27
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