半導体発光素子の製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20200522394
申请日
2018-11-26
公开(公告)号
JP2021504933A
公开(公告)日
2021-02-15
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L33/02
IPC分类号
B23K26/00 B23K26/53 H01L21/301
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
半導体素子及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006019157A1 ,2008-05-08
[3]
半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011132744A1 ,2013-07-18
[4]
半導体製造方法及び半導体製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020049835A1 ,2021-08-12
[6]
光発電素子及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017017771A1 ,2017-07-27
[7]
光発電素子及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6053082B1 ,2016-12-27
[9]
炭化珪素半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017026068A1 ,2017-08-10
[10]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004114413A1 ,2006-07-27