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半導体装置の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120511700
申请日
:
2011-04-21
公开(公告)号
:
JPWO2011132744A1
公开(公告)日
:
2013-07-18
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/22
IPC分类号
:
H01L21/225
H01L31/04
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体製造方法及び半導体製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020049835A1
,2021-08-12
[2]
半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008117355A1
,2010-07-08
[3]
炭化珪素半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017026068A1
,2017-08-10
[4]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004114413A1
,2006-07-27
[5]
半導体発光素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021504933A
,2021-02-15
[6]
半導体素子及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006019157A1
,2008-05-08
[7]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び接着剤層付き半導体ウェハ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011058995A1
,2013-04-04
[8]
集光照射基板を用いた半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、半導体薄膜の選択成長方法、および半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010100950A1
,2012-09-06
[9]
GaAs半導体デバイス製造装置、GaAs半導体デバイス製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025171845A
,2025-11-20
[10]
有機半導体の製造方法および光照射装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6942588B2
,2021-09-29
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