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ＧａＡｓ半導体デバイス製造装置、ＧａＡｓ半導体デバイス製造方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20240077570
申请日：
2024-05-10
公开(公告)号：
JP2025171845A
公开(公告)日：
2025-11-20
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H10D64/01
IPC分类号：
H10D64/60
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
KAMIKAWA TAKESHI ;
TANIGUCHI YUKI ;
HAYASHI YUICHIRO ;
MISHIMA KOSUKE .
日本专利 :JP2025081377A ,2025-05-27
[2]
デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19
[3]
有機半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015513781A ,2015-05-14
[4]
半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、通信機器、および半導体レーザ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009066739A1 ,2011-04-07
[5]
半導体デバイス用基板の洗浄液、半導体デバイス用基板の洗浄方法、半導体デバイス用基板の製造方法及び半導体デバイス用基板[ja] [P]. 
SHIBATA TOSHIAKI ;
HARADA KEN ;
KUSANO TOMOHIRO ;
TAKESHITA YUTARO ;
KAWASE YASUHIRO .
日本专利 :JP2022161970A ,2022-10-21
[6]
半導体デバイス用基板の洗浄液、半導体デバイス用基板の洗浄方法、半導体デバイス用基板の製造方法及び半導体デバイス用基板[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018174092A1 ,2020-01-30
[7]
半導体光デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016006298A1 ,2017-04-27
[8]
光半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016103835A1 ,2017-10-05
[9]
半導体発光デバイス，発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2003021691A1 ,2004-12-24
[10]
半導体デバイス、その製造方法および半導体製造システム[ja] [P]. 
日本专利 :JP2020537335A ,2020-12-17
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