有機半導体デバイスの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20140555091

申请日：

2012-02-02

公开(公告)号：

JP2015513781A

公开(公告)日：

2015-05-14

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H10K99/00 C08G61/12 H01L21/28 H01L29/786

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体デバイスの製造[ja] [P].

日本专利 :JP2024527739A ,2024-07-26

[2]

半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

KAMIKAWA TAKESHI ;

TANIGUCHI YUKI ;

HAYASHI YUICHIRO ;

MISHIMA KOSUKE .

日本专利 :JP2025081377A ,2025-05-27

[3]

有機半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2016528720A ,2016-09-15

[4]

有機半導体デバイス製造用組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017212882A1 ,2019-04-04

[5]

有機半導体デバイス製造用組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017110584A1 ,2018-12-13

[6]

半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017511596A ,2017-04-20

[7]

ＧａＡｓ半導体デバイス製造装置、ＧａＡｓ半導体デバイス製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025171845A ,2025-11-20

[8]

有機半導体デバイスの製造方法、および粉体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017038771A1 ,2018-06-14

[9]

有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタの製造方法、有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機半導体材料の合成方法[ja] [P].

日本专利 :JP6082927B2 ,2017-02-22

[10]

有機半導体材料及び有機半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6647106B2 ,2020-02-14

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