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半導体光デバイス[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160532465
申请日
:
2015-04-17
公开(公告)号
:
JPWO2016006298A1
公开(公告)日
:
2017-04-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01S5/042
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L33/02
H01L33/32
H01L33/40
H01S5/343
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
光半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016103835A1
,2017-10-05
[2]
半導体受光デバイス[ja]
[P].
OKIMOTO TAKUYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
OKIMOTO TAKUYA
.
日本专利
:JP2024118668A
,2024-09-02
[3]
半導体発光デバイス,発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003021691A1
,2004-12-24
[4]
有機半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2016528720A
,2016-09-15
[5]
半導体デバイス用基板[ja]
[P].
日本专利
:JP2016507450A
,2016-03-10
[6]
発光デバイス及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006085361A1
,2008-06-26
[7]
半導体光デバイス及び表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015163057A1
,2017-04-13
[8]
GaAs半導体デバイス製造装置、GaAs半導体デバイス製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025171845A
,2025-11-20
[9]
化合物半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6233547B1
,2017-11-22
[10]
化合物半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018078893A1
,2018-11-01
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