化合物半導体デバイス[ja]

被引:0
申请号
JP20170521606
申请日
2017-01-10
公开(公告)号
JP6233547B1
公开(公告)日
2017-11-22
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/338
IPC分类号
H01L29/06 H01L29/778 H01L29/812
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
化合物半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018078893A1 ,2018-11-01
[2]
化合物半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP6222402B1 ,2017-11-01
[3]
化合物半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018078894A1 ,2018-10-25
[4]
[6]
化合物半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6195041B1 ,2017-09-13
[7]
化合物半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018078892A1 ,2018-10-25
[8]
窒素化合物半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6498319B2 ,2019-04-10
[9]
窒素化合物半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018520506A ,2018-07-26
[10]
半導体光デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016006298A1 ,2017-04-27