化合物半導体デバイスの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20170522679

申请日：

2016-12-22

公开(公告)号：

JPWO2018078892A1

公开(公告)日：

2018-10-25

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/338

IPC分类号：

H01L21/337 H01L29/06 H01L29/778 H01L29/808 H01L29/812

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共 50 条

[1]

化合物半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6195041B1 ,2017-09-13

[2]

窒素化合物半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6498319B2 ,2019-04-10

[3]

窒素化合物半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018520506A ,2018-07-26

[4]

化合物半導体基板、化合物半導体基板の製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009035079A1 ,2010-12-24

[5]

化合物半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018078893A1 ,2018-11-01

[6]

化合物半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6233547B1 ,2017-11-22

[7]

化合物半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6222402B1 ,2017-11-01

[8]

化合物半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018078894A1 ,2018-10-25

[9]

半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

KAMIKAWA TAKESHI ;

TANIGUCHI YUKI ;

HAYASHI YUICHIRO ;

MISHIMA KOSUKE .

日本专利 :JP2025081377A ,2025-05-27

[10]

ＧａＡｓ半導体デバイス製造装置、ＧａＡｓ半導体デバイス製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025171845A ,2025-11-20

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