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高純度硫酸銅及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20050513607
申请日
:
2004-07-28
公开(公告)号
:
JPWO2005023715A1
公开(公告)日
:
2007-11-22
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C01G3/10
IPC分类号
:
C01G3/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
超高純度銅及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005073434A1
,2008-04-24
[2]
高純度銅及び電解による高純度銅の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010038641A1
,2012-03-01
[3]
高純度錫及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017069027A1
,2017-12-28
[4]
高純度In及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015064201A1
,2017-03-09
[5]
高純度スルホン酸銅水溶液及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011102276A1
,2013-06-17
[6]
高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007004394A1
,2009-01-22
[7]
高強度高導電銅合金圧延板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010079708A1
,2012-06-21
[8]
高強度高導電銅合金圧延板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010079707A1
,2012-06-21
[9]
高純度のSiC結晶体の製造方法[ja]
[P].
KIM GABOK
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
OCI CO LTD
OCI CO LTD
KIM GABOK
;
KANG BYUNGCHANG
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
OCI CO LTD
OCI CO LTD
KANG BYUNGCHANG
;
PARK BYUNGHYUN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
OCI CO LTD
OCI CO LTD
PARK BYUNGHYUN
;
JEON JUNKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
OCI CO LTD
OCI CO LTD
JEON JUNKI
;
JEONG CHANGWON
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
OCI CO LTD
OCI CO LTD
JEONG CHANGWON
;
CHYUN SEUNGAN
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
OCI CO LTD
OCI CO LTD
CHYUN SEUNGAN
.
日本专利
:JP2025031927A
,2025-03-07
[10]
高純度苛性カリの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007018203A1
,2009-02-19
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