高純度のＳｉＣ結晶体の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240229061

申请日：

2024-12-25

公开(公告)号：

JP2025031927A

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

KIM GABOK KANG BYUNGCHANG PARK BYUNGHYUN JEON JUNKI JEONG CHANGWON CHYUN SEUNGAN

申请人：

OCI CO LTD

申请人地址：

IPC主分类号：

C01B32/963

IPC分类号：

C23C16/42

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

高純度で緻密な焼結ＳｉＣ材料の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024516432A ,2024-04-15

[2]

ＳｉＣ単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015072136A1 ,2017-03-16

[3]

高純度苛性カリの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007018203A1 ,2009-02-19

[4]

高純度錫及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017069027A1 ,2017-12-28

[5]

高純度Ｉｎ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015064201A1 ,2017-03-09

[6]

高純度アラビノース結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025501886A ,2025-01-24

[7]

高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007004394A1 ,2009-01-22

[8]

高純度硫酸銅及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005023715A1 ,2007-11-22

[9]

ＳｉＣ結晶成長用ＳｉＣ原料の製造方法及び製造装置[ja] [P].

日本专利 :JP2019535632A ,2019-12-12

[10]

高純度銅及び電解による高純度銅の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010038641A1 ,2012-03-01

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