半導体レーザ[ja]

被引：0

申请号：

JP20180514852

申请日：

2016-09-27

公开(公告)号：

JP2018527756A

公开(公告)日：

2018-09-20

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01S5/042

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体レーザ[ja] [P].

日本专利 :JP2025013087A ,2025-01-24

[2]

半導体レーザ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008093703A1 ,2010-05-20

[3]

半導体レーザー[ja] [P].

日本专利 :JP2021515980A ,2021-06-24

[4]

半導体レーザ素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2002101894A1 ,2004-09-30

[5]

半導体レーザ装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019097686A1 ,2019-11-21

[6]

半導体レーザ素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019146321A1 ,2021-01-07

[7]

半導体レーザ装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010005027A1 ,2012-01-05

[8]

半導体レーザ素子[ja] [P].

TAKAUJI MOTOYOSHI ;

NAGAKURA KENTO ;

TORII KOSUKE .

日本专利 :JP2024143533A ,2024-10-11

[9]

半導体レーザ装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020202395A1 ,2021-05-06

[10]

半導体レーザ装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017056499A1 ,2018-03-01

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