半導体レーザ素子[ja]

被引:0
申请号
JP20230056262
申请日
2023-03-30
公开(公告)号
JP2024143533A
公开(公告)日
2024-10-11
发明(设计)人
TAKAUJI MOTOYOSHI NAGAKURA KENTO TORII KOSUKE
申请人
HAMAMATSU PHOTONICS KK
申请人地址
IPC主分类号
H01S5/24
IPC分类号
H01S5/22
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体レーザ素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2002101894A1 ,2004-09-30
[2]
半導体レーザ素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019146321A1 ,2021-01-07
[3]
半導体レーザ素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019058802A1 ,2020-11-05
[4]
半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018134950A1 ,2019-11-07
[6]
半導体レーザ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025013087A ,2025-01-24
[7]
半導体レーザ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018527756A ,2018-09-20
[8]
半導体レーザ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008093703A1 ,2010-05-20
[9]
半導体レーザー[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021515980A ,2021-06-24
[10]
窒化物半導体レーザ素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025129325A ,2025-09-04