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半導体レーザ素子[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230056262
申请日
:
2023-03-30
公开(公告)号
:
JP2024143533A
公开(公告)日
:
2024-10-11
发明(设计)人
:
TAKAUJI MOTOYOSHI
NAGAKURA KENTO
TORII KOSUKE
申请人
:
HAMAMATSU PHOTONICS KK
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01S5/24
IPC分类号
:
H01S5/22
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体レーザ素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2002101894A1
,2004-09-30
[2]
半導体レーザ素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019146321A1
,2021-01-07
[3]
半導体レーザ素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019058802A1
,2020-11-05
[4]
半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018134950A1
,2019-11-07
[5]
半導体レーザ素子、集積型半導体レーザ素子、および、半導体レーザ素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014126261A1
,2017-02-02
[6]
半導体レーザ[ja]
[P].
日本专利
:JP2025013087A
,2025-01-24
[7]
半導体レーザ[ja]
[P].
日本专利
:JP2018527756A
,2018-09-20
[8]
半導体レーザ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008093703A1
,2010-05-20
[9]
半導体レーザー[ja]
[P].
日本专利
:JP2021515980A
,2021-06-24
[10]
窒化物半導体レーザ素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2025129325A
,2025-09-04
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