半導体レーザ素子[ja]

被引：0

申请号：

JP20190543474

申请日：

2018-08-09

公开(公告)号：

JPWO2019058802A1

公开(公告)日：

2020-11-05

发明(设计)人：

申请人：

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IPC主分类号：

H01S5/22

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体レーザ素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2002101894A1 ,2004-09-30

[2]

半導体レーザ素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019146321A1 ,2021-01-07

[3]

半導体レーザ素子[ja] [P].

TAKAUJI MOTOYOSHI ;

NAGAKURA KENTO ;

TORII KOSUKE .

日本专利 :JP2024143533A ,2024-10-11

[4]

半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018134950A1 ,2019-11-07

[5]

半導体レーザ素子、集積型半導体レーザ素子、および、半導体レーザ素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014126261A1 ,2017-02-02

[6]

半導体レーザ[ja] [P].

日本专利 :JP2025013087A ,2025-01-24

[7]

半導体レーザ[ja] [P].

日本专利 :JP2018527756A ,2018-09-20

[8]

半導体レーザ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008093703A1 ,2010-05-20

[9]

半導体レーザー[ja] [P].

日本专利 :JP2021515980A ,2021-06-24

[10]

窒化物半導体レーザ素子[ja] [P].

日本专利 :JP2025129325A ,2025-09-04

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