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ナノワイヤを伴うフォトカソードおよび該フォトカソードの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180562635
申请日
:
2017-05-29
公开(公告)号
:
JP2019523522A
公开(公告)日
:
2019-08-22
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01J1/34
IPC分类号
:
B82Y30/00
B82Y40/00
H01J9/12
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
フォトダイオード構造の製造方法およびフォトダイオード構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2024501694A
,2024-01-15
[2]
フォトカソードを備えたバイモード画像取得装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2017533544A
,2017-11-09
[3]
フォトダイオードの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023552371A
,2023-12-15
[4]
量子収量が改善されたフォトカソード[ja]
[P].
日本专利
:JP2022534059A
,2022-07-27
[5]
カドミウムフリー量子ドットナノ粒子[ja]
[P].
日本专利
:JP2017512245A
,2017-05-18
[6]
ナノ構造複合カソードを持つ電池[ja]
[P].
日本专利
:JP2015534209A
,2015-11-26
[7]
レーザーハーフカット加工品の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019065300A1
,2020-11-26
[8]
ソースゲートを含む装置および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2014529889A
,2014-11-13
[9]
ゲートオールアラウンドナノシート入出力デバイスのためのコンフォーマル酸化[ja]
[P].
日本专利
:JP2023536856A
,2023-08-30
[10]
ダイオード装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015025754A1
,2017-03-02
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