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ゲートオールアラウンドナノシート入出力デバイスのためのコンフォーマル酸化[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230506032
申请日
:
2021-07-30
公开(公告)号
:
JP2023536856A
公开(公告)日
:
2023-08-30
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态信息
共 50 条
[1]
水平ゲートオールアラウンドデバイスのナノワイヤの空隙スペーサ形成[ja]
[P].
日本专利
:JP2019515494A
,2019-06-06
[2]
半導体アプリケーション用の水平ゲートオールアラウンドデバイスのためのナノワイヤ製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019500756A
,2019-01-10
[3]
ゲートオールアラウンドトランジスタのための選択的シリコンエッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2023533725A
,2023-08-04
[4]
水平ゲートオールアラウンド(hGAA)ナノワイヤ及びナノスラブトランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022552417A
,2022-12-15
[5]
ゲートインターフェース工学のための新規方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022550561A
,2022-12-02
[6]
免疫隔離のための細胞のコンフォーマルコーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP2023524442A
,2023-06-12
[7]
コールドスタート技術のための三元ディーゼル触媒[ja]
[P].
日本专利
:JP2023547654A
,2023-11-13
[8]
p型ゲートを備えるノーマリーオン窒化ガリウムベースのトランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2023551902A
,2023-12-13
[9]
フィールドデバイスインターフェースの密封及び電気絶縁[ja]
[P].
日本专利
:JP2021526648A
,2021-10-07
[10]
フォトダイオードの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023552371A
,2023-12-15
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