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フィールドデバイスインターフェースの密封及び電気絶縁[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200569980
申请日
:
2019-06-05
公开(公告)号
:
JP2021526648A
公开(公告)日
:
2021-10-07
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G01L19/06
IPC分类号
:
F16L25/02
G01L19/14
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
バンドパスフィルタ及び多段バンドパスフィルタ[ja]
[P].
日本专利
:JP6353938B1
,2018-07-04
[2]
ゲートインターフェース工学のための新規方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022550561A
,2022-12-02
[3]
フィンFETパワー半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2023553358A
,2023-12-21
[4]
グラフェンデバイスおよびグラフェンデバイスの製造方法[ja]
[P].
TORRES ALONSO ALIAS
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
GRAPHENEA SEMICONDUCTOR S L U
GRAPHENEA SEMICONDUCTOR S L U
TORRES ALONSO ALIAS
.
日本专利
:JP2024091527A
,2024-07-04
[5]
有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016052170A1
,2017-05-25
[6]
医療用バルーンデバイス及び方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016506271A
,2016-03-03
[7]
医療用バルーンデバイス及び方法[ja]
[P].
JAMES L GOEPFRICH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WL GORE & ASS INC
JAMES L GOEPFRICH
;
JOSHUA C HAARER
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WL GORE & ASS INC
JOSHUA C HAARER
;
BRANDON C HEDBERG
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WL GORE & ASS INC
BRANDON C HEDBERG
;
BENJAMIN M TRAPP
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WL GORE & ASS INC
BENJAMIN M TRAPP
.
日本专利
:JP2022017388A
,2022-01-25
[8]
ダブル・フォトダイオード電磁放射センサ・デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2023543652A
,2023-10-18
[9]
集積デバイス用の光吸収フィルタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022523997A
,2022-04-27
[10]
可変電気コンダクタンスの電気化学デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2022554106A
,2022-12-28
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