水平ゲートオールアラウンドデバイスのナノワイヤの空隙スペーサ形成[ja]

被引：0

申请号：

JP20180555683

申请日：

2017-03-21

公开(公告)号：

JP2019515494A

公开(公告)日：

2019-06-06

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/41 H01L29/423 H01L29/49 H01L29/78 H01L29/786

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共 50 条

[1]

水平ゲートオールアラウンド（ｈＧＡＡ）ナノワイヤ及びナノスラブトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2022552417A ,2022-12-15

[2]

半導体アプリケーション用の水平ゲートオールアラウンドデバイスのためのナノワイヤ製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019500756A ,2019-01-10

[3]

ゲートオールアラウンドナノシート入出力デバイスのためのコンフォーマル酸化[ja] [P].

日本专利 :JP2023536856A ,2023-08-30

[4]

半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2019527933A ,2019-10-03

[5]

半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P].

NGUYEN SON VAN ;

YAMASHITA TENKO ;

CHENG KANGGUO ;

THOMAS JASPER HAIGH JR ;

PARK CHANRO ;

ERIC LINIGER ;

LI JUNTAO ;

SANJAY MEHTA .

日本专利 :JP2022140451A ,2022-09-26

[6]

アニオン交換防止のためのハライドペロブスカイトナノ粒子のシェル形成[ja] [P].

日本专利 :JP2020500134A ,2020-01-09

[7]

ホワイトスヌースのパウチ用の生地[ja] [P].

日本专利 :JP2023544953A ,2023-10-26

[8]

フィールドデバイスインターフェースの密封及び電気絶縁[ja] [P].

日本专利 :JP2021526648A ,2021-10-07

[9]

ハイパワーデバイスの熱管理用ダイヤモンドエアブリッジ[ja] [P].

日本专利 :JP2020517119A ,2020-06-11

[10]

集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造、及びハイサイド・パワー・トランジスターを駆動する回路[ja] [P].

日本专利 :JP2017505549A ,2017-02-16

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