集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造、及びハイサイド・パワー・トランジスターを駆動する回路[ja]

被引：0

申请号：

JP20160564403

申请日：

2015-01-16

公开(公告)号：

JP2017505549A

公开(公告)日：

2017-02-16

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L27/08 H01L27/092

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

広バンドギャップ・ユニポーラ／バイポーラ・トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2025503314A ,2025-01-30

[2]

ダブル・フォトダイオード電磁放射センサ・デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2023543652A ,2023-10-18

[3]

高感度光子混合構造を含む高量子効率ガイガモード・アバランシェ・ダイオード及びそのアレイ[ja] [P].

日本专利 :JP2022506487A ,2022-01-17

[4]

ナノワイヤ・アクセス・トランジスタを有するＤＲＡＭ[ja] [P].

日本专利 :JP2015522948A ,2015-08-06

[5]

傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス[ja] [P].

KIM WOONGSUN ;

DANIEL J LICHTENWALNER ;

RYU SEI-HYUNG ;

NAEEM ISLAM ;

THOMAS E HARRINGTON III .

日本专利 :JP2025078816A ,2025-05-20

[6]

傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2023548037A ,2023-11-15

[7]

水平ゲートオールアラウンドデバイスのナノワイヤの空隙スペーサ形成[ja] [P].

日本专利 :JP2019515494A ,2019-06-06

[8]

縦型電界効果トランジスタ頂部ソース・ドレイン用のラップ・アラウンド型コンタクト[ja] [P].

日本专利 :JP2023553666A ,2023-12-25

[9]

センサ素子を備えたワイド・バンドギャップ半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2024510130A ,2024-03-06

[10]

圧縮着火機関の排気ガスを処理するためのキャタライズド・スート・フィルター[ja] [P].

日本专利 :JP2015536236A ,2015-12-21

← 1 2 3 4 5 →