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広バンドギャップ・ユニポーラ/バイポーラ・トランジスタ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240545803
申请日
:
2023-01-31
公开(公告)号
:
JP2025503314A
公开(公告)日
:
2025-01-30
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10D12/00
IPC分类号
:
H10D30/01
H10D30/66
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
縦型バイポーラ接合トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2024514086A
,2024-03-28
[2]
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013179379A1
,2016-01-14
[3]
縦型電界効果トランジスタ頂部ソース・ドレイン用のラップ・アラウンド型コンタクト[ja]
[P].
日本专利
:JP2023553666A
,2023-12-25
[4]
集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造、及びハイサイド・パワー・トランジスターを駆動する回路[ja]
[P].
日本专利
:JP2017505549A
,2017-02-16
[5]
バイポーラ処置具[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016190072A1
,2017-06-15
[6]
パワー電界効果トランジスタ(FET)、プリドライバ、コントローラ、及び感知レジスタの統合[ja]
[P].
日本专利
:JP2018503250A
,2018-02-01
[7]
プラズマチャンバコンポーネントの無機コーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP2022553646A
,2022-12-26
[8]
センサ素子を備えたワイド・バンドギャップ半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024510130A
,2024-03-06
[9]
非固有半導体基板上の広バンドギャップトランジスタ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017501562A
,2017-01-12
[10]
ワイドバンドギャップ半導体デバイス上にオーミックコンタクトを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024517079A
,2024-04-19
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