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絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140518116
申请日
:
2012-05-29
公开(公告)号
:
JPWO2013179379A1
公开(公告)日
:
2016-01-14
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/739
IPC分类号
:
H01L29/06
H01L29/78
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 49 条
[1]
広バンドギャップ・ユニポーラ/バイポーラ・トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2025503314A
,2025-01-30
[2]
バイパスされたゲート構造を有するトランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022079655A
,2022-05-26
[3]
パワー電界効果トランジスタ(FET)、プリドライバ、コントローラ、及び感知レジスタの統合[ja]
[P].
日本专利
:JP2018503250A
,2018-02-01
[4]
バイポーラ処置具[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016190072A1
,2017-06-15
[5]
絶縁材料用樹脂組成物、絶縁インキ、絶縁膜及びそれを用いた有機電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014125990A1
,2017-02-02
[6]
バイポーラ膜のシステム及び方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025524332A
,2025-07-30
[7]
バイポーラ電気透析方法及びシステム[ja]
[P].
日本专利
:JP2018520872A
,2018-08-02
[8]
エンハンスメント型デバイスの製造方法およびエンハンスメント型デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2017502519A
,2017-01-19
[9]
ジンケート型亜鉛めっき浴[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010055825A1
,2012-04-12
[10]
改善したレイアウトを有するトランジスタを備える高電流密度電力モジュール[ja]
[P].
日本专利
:JP2014531752A
,2014-11-27
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